🔴英伟达调整HBM4采购：三星、SK海力士下半年提高8层堆叠占比，散热和良率成主因
2026年8月26日｜ Korea、韩国存储产业链

据ZDNet Korea报道，三星电子和SK海力士计划在今年下半年提高8层堆叠（8-Hi）HBM4对英伟达的出货占比。两家公司此前为Vera Rubin平台准备的主力产品以12-Hi HBM4为主，现在英伟达要求供应商提供更多8-Hi配置，相关材料和零部件订单已经开始调整。

报道援引存储产业人士称，英伟达近期要求供应商把HBM4的主力产品组合从12-Hi向8-Hi倾斜。三星预计今年一季度开始全面量产出货，SK海力士二季度跟进；下半年8-Hi占比会逐步提高，但最终组合尚未确定。

这不是简单的“显存减配”，背后主要有两个现实问题。

第一是散热。HBM4的I/O通道从上一代增加一倍至2048个，带宽提高的同时，芯片和服务器机架的发热也更大。12层堆叠带来更高容量，但热密度、功耗和系统散热压力也会上升。英伟达需要在单卡容量、功耗和整柜稳定性之间重新找平衡。

第二是良率和供给。HBM不是只把DRAM裸片做出来就结束，后面还要完成多层堆叠、键合和封装。核心DRAM良率可以较快改善，但堆叠层数越高，后段制造的累计损耗越大。12-Hi的成品良率和产能爬坡难度明显高于8-Hi。

因此，英伟达同时采购更多8-Hi，并不意味着放弃12-Hi，而是增加可供量更大、热管理更容易、良率更稳定的配置。不同客户和工作负载可以选择不同显存容量，英伟达也能降低对单一高堆叠产品的依赖。

对HBM需求的判断尤其要谨慎。报道中的产业人士明确表示，这更像系统级配置优化，而不是单颗芯片规格单纯下调，因此不太可能让整个HBM市场需求出现重大变化。单卡堆叠层数变少，可能被更大的GPU出货量、更高的整柜卡数和更多型号抵消。

这一变化也能解释为什么此前供应链会出现Rubin Ultra测试192GB、8-Hi HBM4等不同版本。Ultra的最终单卡内存规格尚未由英伟达正式公布，不能拿最早1TB方案与192GB测试版机械相减，再推导行业HBM需求下降81%。芯片die数量、系统架构、功耗和NVL576的GPU规模都发生了变化，分母并不相同。

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