华企在不使用传统光刻机的前提下制造芯片，已形成多条清晰的技术路径，并取得阶段性成果。

二维半导体芯片路径
复旦大学周鹏、包文中团队于2025年4月研制出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”。
该芯片集成近6000个晶体管，不依赖先进光刻机，实现从材料、架构到流片的全链条自主研发。
“无极”的晶体管集成密度较此前最高纪录提升51倍，功耗仅为硅基材料的40%。
南京大学王欣然团队于2026年5月在0.6纳米厚的二硫化钼材料上制造出世界首颗二维半导体多位并行微处理器“梦启-1000”。
该芯片将非硅新材料芯片的集成密度提升了14倍。
原集微计划2026年实现硅基28纳米性能的二维半导体集成芯片，2029年全球量产首款基于二维材料的低功耗边缘算力芯片。
碳基芯片路径
国内首条碳基集成电路生产线已在重庆投运并实现量产。
该生产线采用碳纳米管材料，碳纳米管直径仅1至2纳米。
电子在碳纳米管中的移动速度比在硅中快约10倍。
生产线上的碳基集成电路专用设备均为国产，部分由北京大学团队自主研发。
8英寸碳基晶圆已实现量产，一片晶圆可分割出100多颗碳基芯片。
硅光芯片路径
湖北国家信息光电子创新中心研发的硅光芯片以光为信息载体，可绕开对EUV光刻机的依赖。
12英寸硅光工艺线计划于2025年底正式建成，实现从设计到生产的完全国产化。
扬州群发光芯建成国内首条OPA硅光中试线，其“全固态硅基OPA芯片”被认定为“国际先进、部分国际领先”。
北京信息光电子芯片平台于2026年7月通线投产。
3D堆叠与架构创新路径
东方算芯于2026年7月发布DF1000芯片，该芯片不需要EUV光刻机，基于全国产供应链打造。
DF1000采用“中间计算层+上下双存储层”的三层堆叠结构，访存带宽达6.4TB/秒。
该芯片通过3D堆叠和软件定义芯片技术，用相对落后的制程工艺达到高性能效果。
星元晶算发布面向2030年的1nm芯片技术路线图，通过堆叠、光直连、二维材料嵌入等方法实现先进异构集成。
清华大学团队制造出国内首台基于可重构AI芯粒的12英寸晶圆级芯片验证样机。
图灵量子在无锡建有全国第一条光子芯片中试流片线，其光量子芯片可摆脱对国外高端光刻机的依赖。