十月份可能爆发的四个冷门黑马方向，你肯定一个都没听过。第一，薄膜铌酸锂剥离片光通信的薄膜铌酸锂，是用于制作高速光模块的光调制器，而获得薄膜铌酸锂，就要靠剥离片这一核心工艺，没有它就做不出薄膜铌酸锂，1.6T/3.2T高速光膜块，就完全没办法量产，目前薄膜铌酸锂剥离片的国产自给率几乎是零。第二，ABF积层膜。很多人听过ABF载板，就是芯片焊在PCB主板中间的那块垫板。但99%的人不知道，ABF积层膜才是真正的核心，ABF载板精细的微米线路，全靠ABF积层膜堆叠光刻做出来的。目前ABF积层膜完全被日本垄断，随时面临断供风险，国产还只在送样阶段。第三，6N超高纯铜，这个不是普通铜，纯度高达99.9999%。新一代服务器，先进封装的引线、互联导体都要用到超高纯铜，否则高频信号就会失真。但6N超高纯铜也被日本垄断。十月份国产算力硬件升级，这个冷门材料很可能会被卡脖子。第四，硅电容（siCap）英伟达下一代芯片，会把一个新东西，也就是硅电容埋入先进封装，紧贴算力芯片和HBM内存芯片，用来抑制电源噪音，释放芯片算力。跟MLCC相比，硅电容在电压温度变化下非常稳定，不会像MLCC产生噪音、冷热开裂的问题。