1900万倍！1000亿次！国产存储芯片，多线突围

近日，中科院半导体所联合香港大学，搞出了一个叫“铁电隧穿结”的新器件。核心数据很猛：电阻差做到1900万倍，反复开关1000亿次不带坏的。发在《科学》上，主要面向存算一体架构。

说实话，这个底层器件的突破，比产业端量产更让人惊喜，因为它是从原理上换了一条路。

与此同时间段，产业端也在往前走。长鑫存储LPDDR6内存正式量产，全球首发，搭载小米18 Fold。长江存储的NAND份额冲到14%，首次挤进全球前三。

一个值得关注的方向是，这两条线都在尝试绕开EUV光刻机的限制——底层器件换原理，制造端换架构。韩国半导体产业协会自己给的评估：NAND落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年。以前这个差距是5年。

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存储芯片 国产替代