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稳健的 CMOS 兼容硅基氮化镓 MIS-HEMT 器件
届时，CEA-Leti 将发表多篇论文，其中一篇是关于一种 CMOS 兼容硅基氮化镓 MIS-HEMT 热稳健性的研究论文。Luca Nyssens 将详述对 0.15 µm 的 SiN/InAlN/GaN MIS-HEMT 器件（CMOS 兼容）开展的 1400 小时、高达 375 °C 的无偏...