这是一场聚焦于微电子可靠性领域全新原创研究的论坛。届时，CEA - Leti 将发表多篇论文，其中一篇是关于一种 CMOS 兼容硅基氮化镓 MIS - HEMT 热稳健性的研究论文。

Luca Nyssens 将详述对 0.15 µm 的 SiN/InAlN/GaN MIS - HEMT 器件（CMOS 兼容）开展的 1400 小时、高达 375 °C 的无偏置存储测试。测试结果显示，阈值电压漂移（Vth shift）仅约为 - 200 mV，接触电阻上升了约 20%，Id,s 和 gm, max 仅有轻微下降。显微镜分析表明，得益于难熔合金栅极，未发生侧壁互扩散现象。这些器件在极端温度条件下依然保持了电气稳定性，这充分证明了氮化镓功率模块能够单片集成于硅基底之上，可应用于高温汽车电子或航空航天电子设备。

会议上的其他论文将涉及 FD - SOI、GaN、BEOL 可靠性以及实现 3D 顺序集成的低温平台等内容。

CEA - Leti 硅组件部门总监、IEEE 会士 Olivier Faynot 指出：“这些展示充分体现了 CEA - Leti 在微电子可靠性领域的深厚积淀，涵盖了从低温集成、先进材料分析到基于物理的建模以及设计层面的缓解措施等多个方面。”“通过深化对关键退化机制和电路级约束的认知，我们的团队提供了极具实用性的见解，有力地加速了 GaN、FD - SOI 和 3D 顺序集成技术迈向工业应用的进程。”

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