这几年，中国芯片产业是高速发展，不管是芯片技术，还是芯片产能等，以及在全球市场的份额，份量都是显著提升。

但是，说实话，目前中国芯片产业最大的矛盾，其实是发展不平衡，特别是芯片制造，跟不上芯片设计和封测了，芯片设计和封测，早就达到了3nm的水平，但制造却还在7nm。

为何这么说？我们看看具体的例子就明白了。

先说设计这一块，小米玄戒O1就是最好的例子，去年小米就设计出了3nm的芯片，而今年会更新第二代，至少也是3nm，甚至是2nm的芯片都有可能。

另外，华为难道没有3nm芯片的设计能力么，这个大家都不用怀疑吧，小米都能够设计出来，华为难道设计不出来？早在6年前的2020年，华为就能够设计出5nm芯片了……

所以，国内能够设计出3nm芯片的企业，其实已经不少了，设计水平肯定是达到了3nm的，甚至达到2nm的水平，都是可能的。

再看看封测这一块。

早在2020年，国内的封测企业，就已经表示称自己可以封测3nm的芯片了，长电、华天科技、通富微电这些国内顶尖的封测企业，早就具备了封测3nm芯片的能力。

并且这些企业，早就拥有各种小芯片封装、3D封装，3D堆叠等封装能力，对于普通的3nm芯片封测，当然不在话下。

但我们的制造呢？

目前靠谱一点的说法是，我们拥有了等效7nm的水平。毕竟华为一系列的麒麟芯片，还有昇腾芯片，都是等效7nm的工艺。

所以很明显，制造水平离设计、封测水平，已经是相差了好几代，落后好几代。

这就是当前最大的矛盾，国内企业能够设计出最先进的芯片，但制造不出来，只能委外代工，而委外代工，就要受限制，对于有一些芯片，台积电等也不会接单。

为什么会这样呢？一方面是美国限制先进的芯片设备卖给中国，比如EUV光刻机，先进的浸润式光刻机，都不能卖给中国。

按照ASML的说法，能够卖给中国市场的光刻机， 相比于能够卖给西方市场的，都是要落后10多年的，而没有设备，怎么制造芯片？难道用手搓？特别是没有EUV，是很难进入5nm及以下工艺的。

其次，国产芯片设备顶不上来。目前国内绝大部分的国产芯片设备，都只达到了14nm的水平，还有少部分达到了7nm及以下，比如刻蚀机之类的。

但是芯片制造工艺水平，取决于最短的短板，什么最落后，就取决于最落后的那一种设备，目前国产光刻机，相对而言是最落后的，连浸润式都达不到。

目前国内制造7nm芯片，还是之前购买的ASML的浸润式DUV光刻机，用国外的设备实现的。

所以，最终的落脚点，还是在于国产芯片设备，在于光刻机，特别是EUV光刻机，如果这个不解决，那么制造就会一直跟不上设计、封测。