长江存储和长鑫存储要搞三层堆叠，三年量产，但散热是道坎

10月8日，产业链传出消息：长江存储与长鑫存储正推进三层晶圆堆叠，目标约三年量产。不拼平面制程，拼垂直堆叠。

揭秘：韩国半导体产业协会9月首次量化差距——NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年。十年前这差距是5年。更关键的是，三星反向授权了长江存储的混合键合专利，中国芯片企业首次向韩国巨头收专利费。长鑫HBM3E用的就是长江存储的X-Stacking技术底座。

质疑：但三层堆叠的工程难度远超两层。行业报告显示，堆叠层数增加，功率密度增大，热量传导路径变长。更薄的芯片更易翘曲，凸点对准和键合愈发困难。SK海力士五层3D DRAM良率仅56.1%，长鑫HBM3E试产良率约25%，国际巨头约80%。有专家直言：“我们实际上是围绕散热来做架构设计，而不是反过来。”

预测：三年量产可能是小批量试产，规模量产要到2028年。三层堆叠不是终点，散热、良率、成本是下一场硬仗。韩国差距缩小到一年靠的是堆叠层数，但堆叠的下一步，是工程化难题。

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