打破摩尔定律瓶颈！国产二维芯片实现重大突破

2026年1月6日，上海浦东川沙，国内首条二维半导体工程化示范工艺线正式启动运转。这条由复旦大学成果孵化的产线，只用100天就完成动工到设备进场，总投入接近5亿元，造出了名为“无极”的全球首款二维半导体芯片。

很多人容易误会，这条只是中试示范线，并非直接量产的工厂。它最重要的使命，就是把实验室里的顶尖技术，转化成工厂可以稳定复刻生产的工艺。

这款“无极”芯片，采用厚度仅有0.65纳米的二硫化钼二维材料，相当于仅仅一两层原子。科研团队在如此微薄的材料之上，成功刻下5900个晶体管。要知道八年前全球最高纪录才115个晶体管，如今直接提升将近50倍，属于实打实的跨越式进步。

早在2025年4月2日，相关研究成果就登上了《自然》主刊。它属于32位RISC‑V架构处理器，待机功耗仅仅是传统硅基芯片的五分之一，就算使用相对粗糙的微米工艺，能耗已经能够对标28纳米硅基芯片。测试下来，反相器阵列良率高达99.77%，工艺稳定性得到验证。

为什么我们要大力发展二维芯片？现如今传统硅基芯片的发展已经遇到物理天花板，摩尔定律逐渐放缓。越往高端制程走，建厂、研发的成本就越恐怖，还会遇到电子漏电发热等物理难题，再加上外部设备限制，单纯跟着别人的路线追赶，处处被动。

二维半导体正好可以从根源缓解漏电难题，而且这套新技术，七成工序能够沿用现有的硅基生产线，不需要彻底推倒重建。团队还规划好了清晰的时间节点，计划一步步向着等效1纳米技术稳步推进。

当然我们也要理性看待，目前它还属于原型验证产品，性能比不上手机里面的商用芯片。最先落地会面向物联网、传感器这类低功耗场景。

这件事带给我们最大的启发就是，芯片突围不一定非要死磕一条老路。当原有赛道越走越难，主动开辟全新技术方向，就能够掌握属于自己的发展主动权。