EUV卡不死中国！北方华创放出大招，3D DRAM刻蚀取得关键突破9月5日北方华创于IEEE发布论文，官宣3D DRAM工艺获得重大进展，自研两步循环刻蚀工艺，攻克64层硅与硅锗堆叠结构的高深宽比选择性刻蚀行业难题。传统DRAM依靠光刻缩小平面线宽去提升存储密度，海外EUV设备管制，二维微缩的路径已经遇到瓶颈。3D DRAM借鉴3D NAND垂直堆叠的路线，利用三维堆叠提升存储容量，以此绕开光刻设备的约束。垂直叠层最大的工程难点，就是在数十层薄膜当中精准刻蚀硅锗，同时保障硅基底不受损伤。北方华创两步循环工艺，第一步依靠电中性氟自由基定点加工硅锗，在硅表层生成氟化锗保护层。第二步通入反应气体清除底部沉积物，保障刻蚀气体垂直通行。论文给出实测指标，硅锗与硅刻蚀选择比大于500比1；200纳米夹层之内硅层单次损耗小于1纳米；64对叠层结构加工均匀度超过95%。作为长鑫存储核心国产设备合作伙伴，这项工艺给本土DRAM产业提供了全新路线。依托DUV设备叠加先进刻蚀方案，垂直堆叠实现存储密度迭代。行业预判2027年3D‑DRAM有望迎来重要节点。风险提示：论文属于实验室技术成果，距离生产线大规模落地还有较长周期。仅作为产业资讯解读，不作为投资建议。