雷军都亲自祝贺，长鑫存储实现LPDDR6内存量产！要知道，LPDDR6的标准是25年7月在JEDEC发布的，长鑫也是拿到了全球范围内第一次真正落地商用，含金量肯定足够。作为对比，三星是今年1月在CES 2026上就展示了LPDDR6，但到现在都没公布具体量产时间表。SK海力士动作最快，3月完成全球首个1c工艺16Gb LPDDR6的开发验证，计划下半年才开始供货。美光是完全没有产品进度，只在财报会上说需求重心会转向LPDDR6。

也就是说标准发布刚满13个月，长鑫就已经把内存颗粒量产了。过去国内厂商在先进标准上一般要落后国际巨头半年以上，这次的代差压缩到2个月以内，甚至配合国产手机更快的量产，一定是好事。

当然首发归首发，规格上的差距也客观存在。海力士在ISSCC 上拿出的方案是1c EUV工艺配双电压轨，高速数据通路1.025V, 其余部分0.875V，把频率拉到了LPDDR6标准上限；三星走另一条路，12.8Gbps在0.97V就能，die面积44.5mm²、密度0.360Gb/mm²。长鑫这边，电压、die尺寸、良率，一概没公布，而且基础速率10667 Mbps精确踩在JEDEC下限，长鑫的12.8Gbps和三星同档，比海力士还是要慢差不多10%。

为啥长鑫速度要慢呢？长鑫这12.8Gbps主要是受到了DUV工艺的限制，它能稳定良率跑出来的上限也就这么高了。EUV被卡着买不到，长鑫的G4工艺全靠193nm波长的DUV做多重曝光，也就是同一层图形要拆成两到四次曝光来逼近目标线宽，每多一次曝光，就多积累一次套刻误差。如果是之前的 LPDDR5X 跑 10.667Gbps，这些误差是在时序容差范围内的，到了LPDDR6，信号时序要求更高，一部分die就顶不住14.4Gbps，只能按12.8Gbps分级出货。所以这个速度也确实是长鑫的极限了。