科技巨头携手 共同推进HBC芯片商业化

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据报道，三星电子、SK海力士正与高通积极合作，共同推进高带宽计算（HBC）芯片的商业化。在HBC制造中，高通承担设计和系统集成的角色。它负责制造DRAM芯片下方的计算芯片，并提供TSV设计。三星电子和SK海力士负责DRAM芯片的堆叠。他们计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。据悉，第一代HBC产品将于2027年实现商业化和出货，目前已送至高通实验室进行验证。后续该产品将集成到高通AI加速器AI250中。除此之外，搭载第二代HBC的AI300计划于2028年发布。

点评：今年6月，高通正式发布了HBC技术，HBC芯片由多个低功耗DRAM（LPDDR）芯片垂直堆叠而成，并置于加速芯片（XPU）之上。与HBM类似，HBC也采用硅通孔（TSV）工艺进行3D堆叠，与计算芯片和内存芯片水平连接方式相比，这种结构能够实现更高的数据传输带宽。据高通公布的数据，完整加速器级别下，HBC单位功耗带宽是HBM的6倍；单位功耗存储容量是静态存储SRAM的200倍