三星HBM基础裸片推进2nm工艺
IT时代网8月14日消息，据科技媒体 Wccftech 报道，三星正重新规划一座在建生产线，用来制造 HBM（高带宽内存）的基础裸片（Base Die）。业内消息称，这条产线将采用 2nm 尖端制程，预计两年后投入使用，后续仍存在调整空间。
HBM 基础裸片的升级始于 HBM3 与 HBM3E 时代。随着数据传输速率较前代大幅提升，厂商开始用晶圆代工厂的逻辑制程来制造基础裸片，工艺跨度从 20nm 到 12nm 不等。到了 HBM4，由于总线性能更强、硅通孔（TSV）数量增多，基础裸片进一步升级，台积电与三星晶圆代工都接过了这部分制造任务。
除了三星，SK 海力士也在与晶圆代工厂合作生产 HBM。该公司已联手台积电，借助后者的 N12 与先进 N5 工艺制造相关芯片。对三星而言，自研 4nm HBM4 路线之后继续向 2nm 推进，意味着它在 HBM 基础裸片环节想把更多工序握在自己手里。
注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。