台积电与阳明交通大学合作在1nm电晶体技术上突破。先在二硫化钼（MoS₂）表面沉积超薄外延铝，氧化生成 0.42 纳米氧化铝缓冲层，再覆盖高 κ 氧化铪介电层。 台积电应该是实现在1nm制程有技术突破的厂商。
