Samsung在8月4日举行的存储技术大会上公布新一代V10 Bonding V-NAND。该产品采用超过400层的堆叠结构和晶圆键合工艺，Samsung称其存储密度较上一代提高58%。公司还展示了zHBM和zNAND-O等概念架构，尝试把存储直接堆叠在AI加速器上方，以提高带宽、能效和散热能力。Samsung预计，未来60%至70%的存储销售可能由长期客户协议覆盖。过去存储器主要被视为标准化程度较高、价格周期明显的通用元件，但AI推理对带宽、容量、延迟和功耗的要求正在迫使存储重新进入系统架构核心。模型训练强调大规模参数搬运，Agent和实时推理则会持续读取上下文、数据库和多模态内容，算力越强，存储访问反而越容易成为瓶颈。因此，未来AI芯片的竞争不再只是计算核心性能，而是计算、存储、互联和封装能否被整体设计。Samsung、SK海力士和Micron的价值将越来越接近AI平台供应商，而不只是传统存储制造商。长期协议和定制架构也会削弱传统存储现货周期，头部云客户将提前锁定技术路线与产能。代价则由消费电子承担。越多晶圆、研发和资本进入AI服务器存储，手机和PC能够获得的普通DRAM与NAND资源就越有限。存储涨价因而不只是暂时的供需波动，而可能成为未来数年消费电子产品定价、配置和产品层级重构的长期变量。光模块 美拟禁新型光模块草案 特朗普拟禁中国光模块 美股光通信芯片股集体上涨 长鑫科技