磷化铟全产业链梳理｜美股大涨催化，行业供需缺口超70%，缺口规模已经超越存储芯片

一、行业核心背景

随着英伟达CPO交换机批量商用落地，硅光方案无法自主发光，必须依靠磷化铟制造CW连续激光器作为外置光源。1.6T/3.2T光模块、CPO架构会成倍消耗磷化铟衬底。2026年全球磷化铟衬底需求260~300万片，合规有效产能仅75万片，整体供需缺口超70%，扩产周期长达18~24个月，高端6英寸衬底订单已经排到2027年之后，现货价格年内最高涨幅超250%，紧缺程度超过当下火热的HBM存储芯片。

下面按照从上至下的四层产业链，整理具备真实业务落地的核心关联个股：

1. 上游第一层：铟资源、7N级高纯金属铟（最基础原料）

磷化铟单晶制造的核心基材，需要PPB级别超高纯度金属铟，自有矿产资源的企业拥有极强成本壁垒。

• 云南锗业：自有铟锗矿山资源，自给供应自家磷化铟衬底产线，同时对外外销高纯铟，实现原料闭环。

• 有研新材：央企平台，国内老牌高纯稀散金属提纯龙头，自主量产7N电子级高纯铟，供给军工+通信级磷化铟工厂。

• 锡业股份：国内原生铟矿核心产出企业，为行业批量提供工业级铟锭，是高纯铟提纯企业的上游货源。

2. 上游第二层：电子级红磷（合成磷化铟单晶必备）

高纯红磷用来和高纯铟合成磷化铟多晶棒，是不可缺少的化工原料，伴随衬底扩产需求同步提升。

• 兴发集团：国内电子级超高纯红磷核心供应商，批量供货给云南锗业等头部衬底厂商。

• 澄星股份：精细磷化工布局，布局半导体专用高纯磷材料，切入化合物半导体原料供应链。

3. 中游核心壁垒层：磷化铟单晶衬底（整条产业链价值最高环节）

衬底是光芯片的“地基”，直接决定EML激光器良率，也是海外垄断最深的环节，国内国产替代弹性最大。

1. 云南锗业（绝对龙头）控股鑫耀半导体（华为哈勃战略入股），国内磷化铟衬底市占率超80%；2/3/4英寸衬底稳定量产，6英寸高端衬底实现小批量交付，2027年总产能扩至45万片（4英寸当量），客户覆盖中际旭创、光迅科技、华为，订单锁至2027年底。

2. 有研新材国家队标的，打通「高纯铟-磷化铟多晶-单晶衬底」全流程，2~4英寸产品稳定供货军工通信场景，6英寸样品完成头部客户验证，订单稳定性强。

3. 三安光电三安集成布局磷化铟衬底自研，搭配自有外延+光芯片IDM产线，自用+外售并行，偏向一体化模式。

4. 兴业科技收购晶电相关技术团队，布局2/3英寸通信级磷化铟衬底，规划规模化产线，处于产能建设阶段。

4. 下游环节：磷化铟外延片 & 光芯片代工

在磷化铟衬底上生长外延层，才能最终制作高速光模块激光器芯片，适配800G/1.6T/CPO光引擎。

• 三安光电：国内头部化合物半导体外延代工平台，承接大量磷化铟基EML激光器外延生长订单。

• 仕佳光子：依托国产磷化铟衬底自研DFB/EML光芯片，外延工艺自主化，产品批量供给算力光模块厂商。

• 南大光电：量产磷化铟外延必备的MO源（有机铟前驱体材料），补齐外延环节上游卡脖子材料。

补充行情关键提醒

1. CPO技术并不会淘汰磷化铟，反而会成倍增加消耗量，英伟达CPO交换机单台磷化铟使用量是传统交换机10倍以上；

2. 本轮上涨驱动来自海外衬底巨头涨价+美股磷化铟概念股大涨，叠加存储芯片景气溢出，属于材料涨价+事件催化共振；

3. 磷化铟整体扩产极慢，短期供需失衡很难缓解，但多数二线企业仅处于样品阶段，区分量产交付标的和纯概念蹭热点个股尤为重要。

⚠️风险提示：以上仅为产业链公开业务梳理，不构成任何股票买入、加仓投资建议，题材短期情绪波动较大，需要区分真实产能落地企业与概念炒作标的。美联储9月加息预期降温