摩根大通最新的内存总可寻址市场（TAM）预测为半导体行业描绘了一幅非凡的图景。

DRAM预计将从2022年的770亿美元增长到2028年的1.24万亿美元。

在2022-23年的低迷之后，复苏在2024年加速，增长达91%。

真正的跃升发生在2026年，同比激增346%，将收入提升至6360亿美元，随后持续强劲扩张。

NAND遵循类似路径，从2022年的550亿美元上升到2028年的4540亿美元。在2022-23年的急剧下滑后，它在2024年反弹101%。2026年再次脱颖而出，激增322%，将市场规模从2025年的710亿美元推升至3000亿美元。

最引人注目的是高带宽内存。HBM预计将从2023年的仅40亿美元扩展到2028年的2250亿美元。2024年的增长率仍极高，达317%，然后在2027年前保持高位两位数或三位数增长率，随后在2028年放缓至74%。

这些数字暗示着一场持续多年的结构性繁荣，2026年被定位为产能和定价能力大幅跃升的拐点年份，主要由AI对先进内存的需求驱动。

无论这些预测是否准确或过于乐观，其预期的扩张规模都难以忽视。