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英伟达 AMD 博通追单:台积电 3nm 月产 18 万片目标有望提前至 Q4 初达成,2nm 年底冲刺 10 万片

据中国台湾《经济日报》今日报道,在英伟达、amd、博通等大客户积极追单的推动下,台积电3nm制程原定于2026年底实现的月投片量18万片目标,有望提前至第四季度初达成。同时,台积电2nm制程订单同步升温,有望在2026年底朝月投片10万片的目标靠拢。

消息人士称,由于客户持续追单,台积电3nm制程在2026年上半年月投片量已接近15万片;预计到第四季度初,月投片量即可达到18万片,较原定年底目标提前两至三个月。

为满足客户需求,台积电已宣布新增三座3nm晶圆厂,同时在中国台湾将部分5nm设备转换至3nm以支援产能建设。

2nm制程方面,供应链透露台积电2026年上半年月投片量已达5万至6万片,预计第四季度初将超过8万片,年底有望达到10万片。

台积电资深副总经理侯永清在今年北美技术论坛上表示,2026年将有五座2nm厂同时放量,包括新竹两座、高雄三座。台积电2nm量产目标为第一年晶圆产出较2023年3nm第一年增加45%,2026年至2028年2nm产能年复合增长率将达70%。

下一代制程方面,台积电位于中科二期园区的1.4nm新厂建设进度同样超前。中科管理局局长许茂新7月29日表示,第一座厂房预计2027年4月前完工。该厂区规划建设四座厂房,目前前两座已完成发包,由达欣工程、互助营造得标,已进入钢构施工阶段。供应链评估,若建厂进度持续,最快2027年第三季初可进入试产,2028年中正式量产。

参考此前报道,台积电1.4nm制程代号a14,采用第二代gaa纳米片晶体管,相比2nm工艺晶体管密度提高20%至23%,在相同功耗下性能提升10%至15%,在相同性能下功耗降低25%至30%。