日本升级半导体管制,
第一轮是23年7月施行,卡住14nm及以下先进晶圆制造前道工序,如刻蚀、清洗、涂胶显影等;第二轮是25年11月实施,以卡住先进制程光刻材料为主。
第三轮是本月开始,大规模管制先进封装设备,瞄准Chiplet、2.5D/3D堆叠、TSV、HBM配套工艺。
日本升级半导体管制,
第一轮是23年7月施行,卡住14nm及以下先进晶圆制造前道工序,如刻蚀、清洗、涂胶显影等;第二轮是25年11月实施,以卡住先进制程光刻材料为主。
第三轮是本月开始,大规模管制先进封装设备,瞄准Chiplet、2.5D/3D堆叠、TSV、HBM配套工艺。