高盛发布存储器行业市场与价格展望报告称：

> DRAM 价格增长：受持续的供应短缺推动，预计 2026 年第三和第四季度传统 DRAM 价格将实现强劲的两位数环比增长。

> 明年 HBM 价格上行空间：受传统 DRAM 价格上涨带动，高带宽内存（HBM）价格明年可能翻倍。高盛预计 HBM 价格将同比上涨 87%，这一预期高于彭博卖方一致预期的 52%。

> 产能与位元（Bit）增长：尽管今年的产能扩张速度超过历史水平，但由于 HBM 占据了相当大的产能份额（即 HBM 转换率较高），预计整体位元增长率仍将低于历史平均水平。

行业动态与竞争格局

> 长期协议（LTA）：长期协议具有很强的约束力——覆盖了超过一半的服务器 DRAM 市场——其条款包括大额预付款、“照付不议”（take-or-pay）条款以及取消订单罚金等。预计协议覆盖率将进一步提升。

> 中国供应商：尽管中国存储器厂商正在积极扩产，但在短期至中期内，由于其在生产良率、技术水平和产品可靠性方面存在显著差距，它们构成的威胁相对有限。

> 混合键合（Hybrid Bonding）：预计该技术的应用将循序渐进。虽然堆叠更多 DRAM 裸片（die）增加了现有键合技术的难度，但实现混合键合的量产良率仍需相当长的时间，促使企业在此期间探索无助焊剂键合（fluxless bonding）等替代方案。