高盛：内存

市场与定价展望

> DRAM 定价增长：预计 2026 年第三和第四季度传统 DRAM 定价将实现强劲的双位数环比增长，受持续供应短缺推动。

> HBM 明年上涨潜力：高带宽内存 (HBM) 定价明年可能翻番，受传统 DRAM 定价上涨影响。高盛预计 SEC 的 HBM 定价将同比增长 87%，超过彭博卖方共识预估的 52%。

> 产能 vs. 比特增长：尽管今年产能增加超过历史水平，但整体比特增长预计仍将低于历史平均水平，因为 HBM 交易比例较高。

行业动态与竞争

> 长期协议 (LTAs)：LTAs 提供强大的约束力——覆盖超过一半的服务器 DRAM——并由大量预付款、承购或支付条款以及取消罚金等条款支持。覆盖比率预计将上升。

> 中国供应商：尽管中国内存竞争对手积极扩产，但由于生产良率、技术水平和产品可靠性存在较大差距，其在中短期内构成的威胁有限。

> 混合键合：采用预计将逐步推进。虽然堆叠更多 DRAM 芯片使现有键合技术更难实现，但实现混合键合的大规模生产良率需要相当长时间，因此公司将在过渡期探索无助焊剂键合等选项。