三星扩大华城工厂规模，到年底将生产能力提升15%

三星电子正在华城园区整合其DRAM生产设施，同时扩大产能，以增加大宗DRAM的供应。此举被视为旨在最大化大宗DRAM产量——仅今年上半年DDR4价格就飙升超过80%——并尽可能满足苹果等主要科技客户的需求，后者在存储短缺之际正考虑从中国供应商采购DRAM。

据业内人士27日消息，三星电子内存制造技术中心本月组建了一个特别工作组，并开始在华城园区第一工厂（H1）建立大宗DRAM后段工厂。公司计划将目前分散在园区第二工厂（H2）和天安园区后段工厂设备迁至H1，并在腾出的空间中增加生产线。

后段工厂负责连接主工厂中制造的晶体管和其他内存组件，是前端晶圆加工的最后阶段。三星历史上一直在主工厂周边扩展华城生产设施，而部分后段工厂作业则分散在天安。主工厂与后段工厂的物理分离不可避免地延长了DRAM生产周期，阻碍了大宗DRAM供应的增加努力。

三星电子器件解决方案部门负责人俊炯铉（Jun Young-hyun）最近审查了拆除旧内存生产线后在华城H1闲置的洁净室空间的使用方式，并最终将其选定为新的后段工厂中心。通过改造现有洁净室而非新建工厂，三星可以减少资本支出和建设时间，从而更快地扩大DRAM供应。

此次重组不仅仅是简单增加生产产能。其关键特点是将上游和下游大宗DRAM生产流程整合到一个地点，大幅提升效率。此前，华城主工厂制造的组件必须运往天安后段工厂完成，造成相当大的生产低效。实际上，三星正在将平泽园区采用的先进生产模式引入华城，在平泽，主工厂和后段工厂从建设阶段起就已共置。

“到今年年底，三星电子的大宗DRAM生产能力预计将比年初高出约15%，”一位业内官员表示。“将主工厂和后段工厂整合在一起，还将通过集体转移晶圆至下游加工线来提升物流效率。”