杀疯了！
俄罗斯宣布光刻机重磅突破直指1纳米？
这次核心不是跟着荷兰ASML的老路走，而是另起炉灶搞了6.7纳米气体靶光源。简单说，ASML用的是13.5纳米锡滴方案，不仅效率低，锡渣还会污染镜片；俄罗斯直接换成锂氙气体团簇，激光一打就成等离子体，用完抽走就行，干净又高效。

理论上，6.7纳米波长能把光刻极限压到1纳米，比ASML现在的3纳米物理上限还狠。而且能量转换效率是锡靶的3到4倍，维护成本还低不少。

别以为俄罗斯突然开挂，其实他们早就被逼到墙角了。西方多年半导体封锁，连造军工芯片的设备都卡，逼得他们只能自研，去年刚量产350纳米光刻机，先保住自家军工、能源等基础需求。

最有意思的是路线完全绕开ASML。当年尼康死守157纳米干式光刻，结果被ASML的浸没式技术反超，从此掉队。现在俄罗斯不硬追13.5纳米EUV，直接跳级到6.7纳米，算是吃准了“换道超车”的道理。

当然也别盲目吹，目前这还只是实验室突破，离造出能稳定量产的整机还差得远。ASML的EUV可是砸了几百亿美元、熬了二三十年才成熟的。

但这事最大的意义，是打破了“只有ASML能做高端光刻”的神话。

证明被封锁的国家照样能靠自己走出新路子，技术垄断从来都不是铁饭碗。

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