关于光刻机，咱们已经公布了的最先进的是氟化氩光刻机，波长、分辨率、套刻精度、制程工艺是不同概念的四个指标。也就是：

ArF 193nm 干式光刻机原生分辨率≤65nm套刻精度≤8nm原生直做65nm、45nm 成熟工艺加多重曝光（多次叠加刻蚀）可以向下兼容做到32nm → 28nm → 22nm → 14nm → 7nm

简单的说就是：193nm ArF光刻机 = 65nm底子，靠多重曝光硬啃到7nm

不过，多重曝光，需要40-60张掩膜板，良率低、成本巨高！