维信诺突破卡脖子技术！ALD全氧化物方案正式量产落地

核心要点

维信诺在SID论坛首发高迁移率ALD全氧化物技术量产方案，原子级成膜工艺实现性能对标LTPS、成本大幅下探，打破传统OLED背板技术瓶颈，国产显示核心技术再迎重大突破。

一、传统两大背板技术固有痛点

1. LTPS低温多晶硅：迁移率高、适配高端OLED，但依赖激光退火工艺，设备贵、制程复杂，大世代线扩产良率低、面板均一性差。
2. 传统氧化物Oxide：适合大面积、成膜均匀，但电子迁移率偏低，只能用于中低端、低刷新率产品，无法切入高端小尺寸赛道。

二、ALD全氧化物技术核心突破

1. 采用原子层沉积ALD替代传统PVD泼墨式成膜，原子级逐层生长，亚纳米级膜厚精准管控。
2. 性能指标全球领先：单栅迁移率突破50cm²/V·s，双栅突破80cm²/V·s，比肩主流LTPS工艺。
3. 省去激光退火流程，简化工序、提升良率，实现高性能+低成本双重优势。
4. 量产指标达标：膜厚片间波动小于2%、面内均一性小于4%，批量生产稳定性强。

三、量产进展与应用前景

已成功点亮6.39英寸全氧化物面板，在4.5代产线完成工艺验证，可向8.6代高世代线拓展。
适配全尺寸面板，覆盖智能手机、平板笔电、车载座舱、VR/AR等高端场景，重塑全球OLED技术竞争格局。

受益企业

维信诺
率先落地ALD全氧化物量产方案，技术卡位优势显著。
京东方A
受益国产显示背板技术迭代，共享工艺升级与供应链红利。
TCL科技
中大尺寸OLED面板有望导入新工艺，降本增效空间打开。
北方华创
ALD沉积设备需求提升，有望切入显示面板设备供应链。
中微公司
刻蚀及薄膜沉积设备受益OLED产线扩建放量。

以上信息仅供参考，不构成投资建议。