荷兰光刻机巨头ASML表示，现在在美国的技术封锁下，中企想获取EUV光刻机几乎不可能了，但是中国一直没有放弃，研发投入每年增速超过20%。 荷兰光刻机巨头ASML多次在财报和公开场合说明，美国持续向荷兰政府施压，导致EUV设备对中国出口基本停滞。早在2018年，中芯国际曾订购一台EUV光刻机，原计划2019年交付，但至今未能到手。荷兰方面逐步收紧许可，甚至撤销部分DUV设备的出口批准。 中国没有选择妥协。全社会研发经费投入强度达到较高水平，国家设定年均增长目标，大基金三期投入930亿元重点支持芯片设备和材料。地方层面，上海等地推出所得税优惠和研发补贴，企业项目落地加快。这些政策让国内研发投入保持稳定增长势头，每年增速超过20%。企业层面，资金和技术协同推进，多个关键环节取得实打实进展。哈尔滨工业大学团队在赵永鹏带领下，研发出13.5纳米波长EUV光源，这相当于打通光刻机心脏部件的国产路径。 上海微电子装备公司稳步推进整机研发。90纳米ArF光刻机已实现量产，市场份额高，还中标过1.1亿元采购项目。28纳米浸没式光刻机完成交付验证，标志着从成熟制程向中高端迈进。核心零部件国产化也在提速。福晶科技作为激光晶体全球主要供应商，产品进入ASML和国内设备供应链，掌握了光源材料主动权。茂莱光学在DUV物镜领域替代率提升，单件价值高，打破了部分国外垄断。 南大光电实现28纳米ArF光刻胶量产，良率超过90%，此前高端光刻胶长期依赖日本企业，这一突破解决了芯片制造中的隐形难题。浙大量子研究院推出“羲之”电子束光刻机，精度达到0.6纳米，线宽8纳米，已进入应用测试。虽然目前无法完全替代EUV，但为研发提供备用路线，打破了国外高端电子束设备的禁运限制。这些进展不是孤立事件，而是产业链协同结果。 上海芯上微装全资子公司中标合肥8.6代AMOLED生产线项目，国产光刻机应用场景不断拓展。整体看，中国在光刻机领域从零部件到整机都取得多项突破。虽然距离完全掌握EUV整机还有距离，但每一步都缩小了差距。ASML依赖的技术垄断和出口限制，反而成为中国自主研发的外部动力。核心技术买不来，只能靠自己积累。 全国多地企业和科研机构持续投入。研发人员在实验室反复测试参数，优化光源稳定性、物镜反射率和光刻胶分辨率。电子束设备扫描样品，线宽控制精准，提供灵活路径。赵永鹏团队在大学继续推进项目，功率提升工作获得更多认可。这些努力让国产设备在成熟制程站稳脚跟，并向先进节点延伸。 中国光刻机研发过程充满挑战。封锁加剧了外部压力，但政策资金双轮驱动，企业协同发力，成果逐步落地。上海微电子交付28纳米设备，芯上微装子公司参与显示生产线建设。赵永鹏带领学生推进光源优化，全国产业链形成梯度布局。从90纳米到28纳米，再到备用路径突破，每一次进步都基于真实数据和验证。 坚持下去，总有一天能生产出属于自己的EUV光刻机，减少对外依赖。当前进展已证明，韧性比封锁更持久。技术差距在缩小，自主道路越走越宽。