美光科技表示，目前已向客户提供了16层堆叠（16-high）48GBHBM4的早期样品。与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。

3月17日，在今天凌晨进行的英伟达GPU技术大会（GTC）中，美光宣布旗下多款存储产品已同步进入大规模量产阶段，这些产品均围绕英伟达VeraRubin平台设计。

美光表示，其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货，首批产品为36GB的12层堆叠（12-high）版本，专为VeraRubin平台打造。该产品的引脚速率超过11Gb/s，可提供超过2.8TB/s的内存带宽，相比上一代HBM3E提升约2.3倍，同时功耗效率提升超过20%。

此外，美光科技表示，目前已向客户提供了16层堆叠（16-high）48GBHBM4的早期样品。与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM位置的可用内存容量。