【SK 海力士开发并量产 321 层 2Tb QLC NAND Flash】 存储芯片大厂SK海力士宣布，已开发出321层2Tb的QLC NAND Flash产品，并开始量产。 SK海力士表示、NAND Flash晶片根据每个单元（Cell）可以存储的资讯量，分为SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同规格。单元的资讯存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。 SK海力士指出，公司全球率先完成300层以上的QLC NAND Flash开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND Flash产品中拥有最高的整合度，经过全球客户公司的验证后，计划于2026年上半年正式进入AI数据中心市场。 海力士计划首先在电脑端固态硬盘（PC SSD）上应用321层NAND Flash，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）和针对智能型手机的嵌入式存储（UFS）产品。此外，公司也将基于堆迭32个NAND Flash的独有封装技术，达到比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。