【闪存技术将迎来密度更高的280层3D QLC NAND芯片】 据外媒报道：三星半导体将于2月推出其最新的280 层堆迭的 3D QLC NAND闪存芯片。一旦正式推出，将成为迄今为止储存密度最高的新型 3D QLC NAND 闪存芯片。 可资对照的是，三星半导体的主要竞争对手SK海力士、美光最高密度的闪存芯片分别为238层、是232层。另外，铠侠和西部数据的3D NAND层数则是218层。