说得更直白点——北方华创在IEEE期刊披露了“两步循环刻蚀”技术。论文的对象是硅/硅锗交替堆叠的64层3D DRAM路线，重点解决的，是高深宽比结构里那种“横向选刻”难题：你得把某一层精准挖掉，但不能把上下相邻的层也一起带走。行业里谁都知道这活不太像“工程题”，更像“考验运气和工艺性”的活。
你可以把它理解成：过去在二维上追得再紧，问题也还“相对平面”；但一旦上了三维堆叠，工艺窗口会迅速变窄。刻蚀气体要在垂直方向上顺利走，反应产物又不能在底部堆成“堵车”。一旦出事，最先掉的往往不是参数，是良率。
北方华创的思路很具体：两阶段循环做。第一阶段用无偏置的电中性氟自由基去对硅锗层“定点”，强调对硅的选择性，同时在硅层表面形成一层细密的氟化锗保护膜；第二阶段再引入反应气体去清理底部副产物沉积，让刻蚀过程尽量保持一致性。论文里给出的量化结果也比较硬：硅锗对硅的选择比超过500:1，200纳米夹层结构里硅层单次损耗控制在1纳米以内，64对交替层结构均匀度也做到超过95%。
但我不太相信大家真正激动的点只在“参数漂亮”。更现实的刺激在于：论文表述的是，在缺少EUV极紫外光刻机的条件下完成关键制造步骤。这句话的分量，取决于你处在什么行业位置。对设备链和本土制造来说，它不是“学术讨论”，而是“路线可不可走”的问题——谁都不想把赌注押在只有少数国家掌控的那套工具上。
另外一个让人容易串起来看的信息是长鑫存储。文中提到双方合作可追溯到2019年，且北方华创的刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗等设备已经进入长鑫产线。换句话说，这不是完全从实验室里“凭空冒出来”的叙事：至少在设备能力和合作磨合上，前面已经走过一段路。
不过，得泼点冷水。论文数据是否能在量产线上稳定复现，是否会暴露出新的良率坑位，什么时候能真正落到可规模生产的节奏，这些都还没有被公开的独立验证“盖章”。文里也承认了：具体制程名称、性能指标、量产时程并未披露得足够细。你要是把它当作“马上要量产”的信号，那风险很大；你要是把它当作“工艺路径里的一块关键拼图”，反而更靠谱。
更有意思的是时间点。与此同时，市场数据也在讲同一个故事方向：Counterpoint Research给出的2026年第二季度全球DRAM营收同比增长很夸张，长鑫存储份额从当季看起来也在上行，排名进入前四。市场层面的增长，未必完全由单一工艺决定，但它确实会放大这种“技术路线切换”的意义——当行业开始把注意力从二维追赶转向三维堆叠，谁能更早把制造障碍打穿，谁就更容易在节奏上领先。
我想提醒一句：所谓“绕开EUV”，听起来像是“捷径”。可半导体从来没有真正的捷径，只有更换难点。缺少某一类设备不代表问题消失，它会换一种方式长出来，比如对刻蚀窗口、工艺一致性、以及整套前后道匹配的要求更高。两步循环能解决的，是横向选择性刻蚀这个关键环节，但整条链路是否能把成本、良率、稳定性一并吃下来，才是决定量产的最终答案。
所以这条新闻我更愿意把它归类成：一次值得关注的“路线可行性增强”。至于它会不会成为3D DRAM赛道的分水岭——等量产数据出来再说。
你们怎么看？如果这套工艺真能站住，下一步最值得盯的会是哪些指标——良率爬坡速度、还是成本曲线，或者说整条设备链的协同成熟度？评论区聊聊。
评论列表