8月4日，韩国三星电子于2026年未来存储大会（FMS 2026）上展示其面向人工智能（AI）内存和高性能计算（HPC）的最新3D存储产品组合与技术路线图。首度公开了zHBM与zNAND-O概念模型，并推出业界首款层数超过400层的V10 BV-NAND。

三星还在一个设计成类似人工智能云服务器的展位上展示了约30项技术。主要演示包括zHBM和zNAND-O的概念模型、V10键合V-NAND、HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及包括PM1763和BM1773在内的企业级固态硬盘平台。

三星存储事业部执行副总裁Jin-Yub Lee与副总裁Kyungryun Kim在演说中指出，三星正通过新一代3D结构内存，在满足HPC与AI基础建设需求之余，实现AI系统性能与能效的最大化。

zHBM颠覆传统，垂直堆叠性能飚升8倍

三星专为先进AI运算设计的zHBM，打破常规，将HBM置于处理器旁的设计，改将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，以进一步缩短数据传输距离。据介绍，该构架预估性能可达HBM5的4至8倍。

同时，通过下一代晶圆键合技术，zHBM能实现比HBM5高出10倍以上的内存密度，同时将能源效率提升3倍、热阻降低50%以上。zHBM还支持定制化化设计，允许客户在夹层中整合专属IP，优化加速器性能并扩充容量。

zNAND-O 针对边缘 AI 工作负载

三星推出了基于其V-NAND技术的高性能NAND闪存概念产品zNAND-O。该架构提供4层和8层两种配置，旨在提高空间利用率、I/O性能和降低延迟。

同时亮相的还有开发中的zNAND-O（提供4层与8层版本），专为边缘AI（Edge AI）环境优化，具备高空间效率、低延迟与强大I/O性能，可支持即时且数据密集型的AI应用。

三星将将zNAND-O定位为边缘AI系统，用于以最小延迟处理大型数据集。通过提升本地存储性能，该架构能够支持实时应用，在这些应用中，数据并非总能传输到集中式数据中心进行处理。

首创V10 BV-NAND，晶圆键合技术使密度提升58%

闪存方面，三星推出首款采用晶圆键合技术的V10 BV-NAND，层数高达400层以上。这一里程碑构架使存储密度较前代（V9）大幅提升约58%，并在读写、I/O性能与能源效率上皆有显著提升，能满足未来AI系统的高容量储存需求。

此次发布距离三星在2013年闪存峰会上推出业界首款V-NAND技术已过去了13年。该公司计划将V10 BV-NAND应用于未来人工智能系统和其他数据密集型应用中的高容量、高性能存储领域。

HBM4E、HBM5 和 LPDDR5X-PIM 扩展了 AI 内存产品组合

三星展示了其下一代人工智能加速器路线图，其中包括HBM4E样品和HBM5型号。该公司于今年2月开始业界首个基于其1c DRAM和4纳米芯片技术的HBM4量产，并于5月成为首家向全球客户交付HBM4E样品的公司。

三星还展示了LPDDR5X-PIM，并称其为业界首款采用内存内处理技术的LPDDR内存。该设计在内存内部执行部分数据处理操作，从而减少了内存和处理器之间的数据传输。对于合适的工作负载，这可以提高效率并降低功耗。

三星的企业级存储产品演示包括7月份开始量产的PCIe Gen6 PM1763和BM1773，这两款产品旨在满足人工智能数据中心日益增长的存储需求。这些产品完善了三星的内存产品路线图，满足了人工智能训练数据、模型库和推理工作负载对高容量和高性能的需求。

推进集成人工智能基础设施开发

三星将自身定位为唯一一家拥有涵盖存储器、晶圆代工和先进封装等全方位能力的集成设备制造商，并将其打造为人工智能半导体开发的一站式平台。该集成模式涵盖产品设计、半导体制造、封装和量产。

该方法旨在减少从设计到生产之间的开发阶段，同时加强存储器、处理器和封装技术之间的协调。三星表示，这可以帮助客户缩短开发周期，并优化专用人工智能系统的性能和能效。

编辑：芯智讯-浪客剑